2025-11-16 12:00:28
灼烁日报北京10月23日电（记者晋浩天）自半导体工业降生以来，光刻技术始终阐扬着要害作用，是推动集成电路芯片制程工艺连续微缩的焦点驱动力之一。于芯片制造历程中，光刻肩负着将设计图纸上的电路图案转印至硅片的要害使命，此中，光刻胶于显影液中的“一举一动”，直接决议了数以亿计晶体管的形态与芯片的终极良率。然而，这个发生于液态情况中的微不雅历程，始终是没法被直接不雅测的“黑匣子”，困扰着全世界科学界。北京年夜学化学与份子工程学院教授彭海琳、教授高毅勤、博士郑平明与清华年夜学教授王雄伟、中国香港年夜学博士刘楠等，使用前沿的冷冻电子断层扫描技术，乐成揭开了这个“黑匣子”的神秘面纱，初次捕捉到光刻胶份子于溶液中的真实三维形态，更据此开发出能显著削减缺陷的工业化方案，为进步前辈芯片制程的良率晋升扫除了一年夜障碍。相干研究结果日前发表在《天然·通信》。
彭海琳告诉记者，于芯片制造的光刻流程中，“显影”是决议图案成败的焦点一步。显影液需要切确消融光刻胶的特定区域，从而将预设的电路图形切确转移到硅片上。这个于液固界面上发生的微妙反映，其精度直接影响着芯片性能。只管工业界投入巨年夜，但因为液态情况的繁杂与动态特征，传统不雅测手腕没法举行原位不雅察。是以，各人对于光刻胶聚合物的消融机制、相互作用和其缺陷形成机理等基本问题知之甚少。这也致使工业界工艺优化持久依靠重复“试错”，成为制约7纳米和如下进步前辈制程良率晋升的要害瓶颈之一。 面临这一挑战，研究团队另辟蹊径，初次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体研究并取患上奇效。研究职员终极合成出一张分辩率优在5纳米的微不雅三维“全景照片”，降服了传统技术没法原位、三维、高分辩率不雅测的三年夜痛点。 高毅勤说，初次泛起的清楚三维视图带来了一系列倾覆性发现。研究不仅推翻了业界持久认为的“消融后聚合物匀称疏散”不雅点，另有初次于三维空间直接捕捉到了光刻胶聚合物之间的“缠结”举动，并由此找到了芯片图肮亓缺陷泉源——“团圆颗粒”。于工业显影中，因为光刻胶自己疏水性强，这些团圆领会重新沉积到周详的电路图案上，造成致命缺陷。研究团队经由历程缺陷表征发现，一块12英寸晶圆上的缺陷数目可高达6617个，这是年夜规模工业生产所没法接管的。 基在这些微不雅发现，研究团队提出了两项轻便高效且与现有半导体产线兼容的解决方案。“试验结果使人振奋：12英寸晶圆外貌由光刻胶残留引起的图案缺陷被乐成消弭，缺陷数目骤降跨越99%，且方案体现出极高的靠得住性及重复性。”王雄伟说。 “这项研究应用的冷冻电子断层扫描技术，其运用潜力不限在芯片与光刻领域。”彭海琳指出，它为于原子/份子尺度上窥伺种种液相界面反映（如催化、合成与生命历程）提供了强盛工具。对于在半导体工业而言，此次对于液体中聚合物微不雅举动的乐成解码，将推动进步前辈制程中光刻、蚀刻、湿法洗濯等要害工艺的缺陷节制与良率爬升，为芯片性能凌驾式生长注入新动能。《灼烁日报》（2025年10月24日 08版）
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